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IXYS的IXYH40N120B3D1是一款高性能的半导体IGBT,适用于各种电源和电子设备。该型号的IGBT采用了TO247封装,具有较高的稳定性和可靠性。 技术特点: 1. 电压规格为1200V,电流规格为86A,功率为480W,适用于中高功率的电源和电子设备。 2. 采用TO247封装,具有较小的体积和较高的稳定性,适用于空间受限的设备。 3. 具有较高的开关速度,有助于降低功耗和发热量。 4. 具有较高的输入阻抗,有助于提高电源效率。 应用方案: 1. 电源模块:IXYS的IXYH40
一、技术特点 IXGH30N60C3D1是一款高性能的半导体IGBT,采用TO247封装,具有60A的额定电流和600V的额定电压。该器件具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关特性等优点,适用于各种电力电子应用场合。 二、方案应用 1. 电源系统:IXGH30N60C3D1可广泛应用于电源系统中,如UPS、逆变器、变频器等。它可以提高电源系统的效率和可靠性,降低功耗和温升,延长设备使用寿命。 2. 电机驱动:IXGH30N60C3D1适用于各种电机驱动场合,如电动车辆、家用电器、工业设备等。它可
Infineon英飞凌FD800R17HP4KB2BOSA2模块IGBT MOD 1700V 800A 5200W参数及方案应用详解 随着电子技术的飞速发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在电力电子领域的应用越来越广泛。Infineon英飞凌的FD800R17HP4KB2BOSA2模块IGBT MOD便是其中的佼佼者。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数解析 1. 型号规格:FD800R17HP4KB2BOSA2,该模块IGBT MOD采用1700V、8
IXYS的IXGH48N60A3是一款高性能的半导体IGBT,适用于各种电子设备中。该型号的IGBT采用TO247封装,具有600V的额定电压,120A的额定电流,以及300W的额定功率。 该器件采用先进的工艺技术,具有高开关速度、低导通压降和温度等特点,因此在应用中可以提供更高的效率、更低的能耗和更长的使用寿命。其快速开关特性使其在需要频繁开关的电路中表现优异,而低导通压降使其在电源电路中具有更高的能效。 在方案应用方面,IXGH48N60A3适用于各种需要大功率、高效率的电子设备,如电源模
IXYS的IXBH2N250半导体IGBT是一种适用于各种电子设备的功率半导体器件。其技术参数包括2500V的绝缘耐压,5A的电流容量以及32W的功率输出。封装形式为TO247,方便了生产和安装。 首先,IXBH2N250采用了先进的栅极驱动技术,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,从而提高了设备的效率和可靠性。其次,它具有较高的浪涌保护功能,可以有效地防止过电压和过电流对设备的损害。此外,该器件还具有较长的使用寿命和较低的制造成本,使其在市场上具有较高的竞争力。 在应用方案方面,IXBH2N
标题:IXYS品牌IXYN30N170CV1半导体:1700V/85A HIGH VOLTAGE XPT IGBT的技术与方案介绍 随着科技的飞速发展,电子设备对高效、节能、环保的要求越来越高。作为电子设备的心脏,功率半导体器件的地位日益凸显。IXYS公司作为全球知名的半导体供应商,其IXYN30N170CV1 IGBT便是其中的翘楚。该器件采用XPT工艺制造,具有高电压、大电流、高频率、热稳定性好的特点,适用于各种高电压、大功率的电源设备。 技术解析:IXYN30N170CV1 IGBT具有
标题:IXYS品牌IXYK140N90C3半导体IGBT 900V 310A 1630W TO264技术与应用方案介绍 一、技术特点: IXYS品牌的IXYK140N90C3半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件,其特点是900V的电压等级和310A的额定电流,适用于各种大功率电子设备中。该器件采用了TO264封装形式,具有体积小、重量轻、散热效果好等优点。 二、应用方案: 1. 电动汽车:IXYS IGBT可以广泛应用于电动汽车的电机驱动系统中,能够提高电机的效率和可靠性,降低能耗。 2
一、技术特点 IXYS品牌的IXGT32N170-TRL半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件,具有以下技术特点: 1. 电压等级:该器件的额定电压为1700V,能够承受较高的电压。 2. 电流容量:该器件的额定电流为75A,能够承受较大的电流。 3. 封装形式:该器件采用TO268封装形式,具有较高的散热性能和可靠性。 二、应用方案 该器件适用于各种需要大功率输出的应用场景,如逆变器、电机驱动、电源转换等。以下是一些应用方案: 1. 电机驱动:该器件可以用于电机驱动系统中,实现高效、稳定
随着电力电子技术的不断发展,IGBT模块在各种应用领域中发挥着越来越重要的作用。其中,Infineon英飞凌的FZ1200R12KF5NOSA1模块,以其卓越的性能和稳定性,成为业界关注的焦点。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、FZ1200R12KF5NOSA1模块参数 FZ1200R12KF5NOSA1模块是一款高性能的IGBT模块,其主要参数如下: * 型号:FZ1200R12KF5NOSA1 * 电压范围:600V-650V * 电流容量:最大可达12KA * 工作温度:工作温
一、技术特点 IXYA20N120B4HV是一款高性能的半导体IGBT,采用XPT TO263D2封装,具有以下技术特点: 1. 1200V的电压规格,适用于中高压应用场景; 2. 20A的额定电流,适用于需要大电流传输的场合; 3. 高频响应性能优异,适用于高频化应用; 4. 热阻低,能够快速散热,提高系统可靠性; 5. 集成度高,体积小,易于安装。 二、方案应用 该IGBT适用于各种工业电源、UPS电源、变频器、逆变器等中高压大功率电源系统。在电源系统中,IGBT作为开关管使用,通过控制其