安森美半导体提高高解析度工业应用的成像性能
2024-11-02 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)，提高要求高解析度图像撷取和最大图像均匀度的工业应用的成像性能。 新的2900万像素KAI-29052图像感测器在500奈米(nm)到1050 nm的波长範围内提供比现有的KAI-29050高达两倍的成像灵敏度。这改进的性能尤有利于在近红外线(NIR)波长如850 nm工作的应用。这增强的像素设计保留了光电二极体之间的电荷隔离，实现灵敏度的增加，而不降低图像清晰度(调变传递函数或MTF)。此外，改进的放大器设计降低了15%
标题：onsemi安森美NGTB15N120IHRWG芯片IGBT技术与应用详解 onsemi安森美NGTB15N120IHRWG芯片是一款高性能的IGBT，具有1200V的电压承受能力，以及高达30A的电流输出。这款芯片采用了独特的FS（Field-Stop）技术，旨在提升IGBT的电气性能和可靠性。 首先，我们来了解一下IGBT的基本原理。IGBT是一种复合型功率半导体器件，具有较高的开关频率和较低的损耗，因此在电力电子领域得到了广泛应用。而FS技术则是安森美为提高IGBT性能而研发的一种
标题：onsemi安森美NGTB10N60FG芯片IGBT 600V 10A TO220F3技术与应用介绍 安森美（onsemi）作为全球知名的半导体供应商，其NGTB10N60FG芯片IGBT 600V 10A TO220F3在电力电子领域具有广泛的应用前景。这款芯片采用先进的半导体技术，具有高效率、高耐压、低损耗等优点，被广泛应用于各种电力电子设备中。 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种新型的功率半导体器件，具有开关速度快、功耗低、耐压高等优点。NGTB10N60FG芯片IGBT 600V
标题：onsemi ISL9V2540S3ST芯片：IGBT 430V 15.5A TO263AB的技术与应用详解 onsemi ISL9V2540S3ST芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），它具有430V的额定电压和15.5A的额定电流，适用于各种电子设备中高效率、高功率的电源转换应用。 技术特点： * 高压大电流设计，使得ISL9V2540S3ST在高温和低电压环境下仍能保持稳定的性能； * 优异的开关速度和响应时间，大大降低了损耗，提高了电源的效率； * 集成度较高，减少了外
标题：onsemi安森美NGTG50N60FWG芯片IGBT 600V 100A 223W TO247的技术与应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其生产的IGBT（绝缘栅双极晶体管）芯片NGTG50N60FWG，具有600V 100A 223W的规格，适用于各种电子设备中。TO247封装使得这款芯片在小型化、轻量化方面具有显著优势。 技术特点： 1. NGBT600V100A223W芯片采用先进的半导体技术，具有高开关速度和低损耗，适用于各种需要高效能、低噪音、省电的电
标题：onsemi安森美NGTG30N60FLWG芯片IGBT 600V 60A 250W TO247技术与应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其NGTG30N60FLWG芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管），适用于各种电子设备，如电源转换器、电机驱动器、加热设备等。该芯片具有600V的电压容量，可承受高达60A的电流，以及250W的功率输出。其TO247封装使得它在小型化、轻量化方面具有很大的优势。 IGBT是一种新型的功率半导体器件，具有较高的开关速度和频
标题：onsemi安森美NGTB30N60FWG芯片IGBT 600V 60A 167W TO247技术与应用详解 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其推出的NGTB30N60FWG芯片IGBT 600V 60A 167W TO247在电力电子领域具有广泛的应用前景。本文将详细介绍该芯片的技术特点、应用领域以及实际应用中的注意事项。 一、技术特点 NGTB30N60FWG芯片IGBT是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具有以下特点： 1. 600V的额定电压和60A的额定
标题：onsemi安森美NGTB30N135IHRWG芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美NGTB30N135IHRWG芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片，适用于各种电子设备中。该芯片采用先进的工艺技术，具有高耐压、大电流和高效率等特点，适用于各种高电压、大电流的电气系统。 IGBT是一种复合型半导体器件，具有开关速度快、热稳定性好、耐压高等优点，因此在电力电子领域得到了广泛应用。onsemi安森美NGTB30N135IHRWG芯片的特性使其在变频器、逆变器、电机驱动
标题：onsemi安森美NGTB30N120FL2WG芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美NGTB30N120FL2WG芯片是一款具有代表性的IGBT，其技术特点和实际应用值得我们深入了解。这款芯片采用TRENCH/FS技术，具有1200V、60A的规格，适用于各种需要高效、高功率电子转换的领域。 首先，我们来了解一下IGBT的特点。它是一种复合型功率半导体器件，具有较高的开关频率和功率转换效率，广泛应用于各种需要大功率输出的设备中，如逆变器、变频器、电源等。而TRENCH/FS技术