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连接器使用频率极高,大家对于连接器也都较为熟悉。但在连接器使用过程中,有可能出现连接失效问题。本文中,小编将对导致连接器连接失效的原因予以介绍。此外,本文还将阐述板对板连接器测试需要注意的事项。 一、连接器连接失效原因探讨 连接器的内导体相对于外导体来说,尺寸较小,强度较差的内导体更容易造成接触不良而导致连接器失效。 连接器的内导体之间大多采用弹性连接方式,例如:弹簧爪式弹性连接、插孔开槽式弹性连接、波纹管式弹性连接等。其中插孔开槽式弹性连接结构简单,加工成本低,装配比较方便,应用范围最为广泛
在一些工业应用中,往往会用到很多电容器组,会配置速断、过流、过压、失压等保护,但是还是会出现因电容器故障而导致跳闸的现象,这究竟是怎么回事呢,该如何解决? 电容器组故障分析 电容器组采用常用的星型接线方式,三相共体外壳接于同一铁框架,框架接地。电容器内部结构为多个元件并联的四串结构,并设置内熔丝保护,检修人员与厂家人 员对损坏的电容器进行解剖,发现受损电容器的A、B相内熔丝均熔断了两根,外包封破裂,经过认真分析,认为一相熔丝熔断两根后,造成外包封损伤,在外包封 受伤的情况下,长期运行发展成对壳
目前,我国北斗导航卫星系统已经发展到第三代,按计划,今年全年将发射18颗卫星,年底实现覆盖“一带一路”沿线国家。拥有自主知识产权的北斗导航系统,已经打破了美国GPS一统天下的局面。 可是,为什么大家在实用手机导航时,很少能感受到北斗?而且,手机厂商也不将北斗系统作为卖点? 上周,小米深圳发布了年度旗舰手机——全球首款双频GPS手机、支持L1+L5双频双路精度定位,成为该款手机的一大亮点。不过有网友质疑,小米新机为何不提国产的北斗导航系统? 手机芯片集成北斗功能成标配 记者从小米方面了解到:小米
mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。 Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗,不同mos这个差距可能很大。 Mos损坏主要原因: 过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;
耗电大的一路通过的电流比耗电小的一路通过的电流大。例如家中的热水器耗电量比电视机大,通过热水器的电流比通过电视机的电流大得多。 实际上也不是这样的。经中国最权威的电子元器件网了解,通过多个电阻的电流是按电阻大小成比例分配的,每个电阻上都有电流通过。 例如大小两个电阻并联,电流也不是都走了电阻小的一路,电阻大的一路也有电流,如下图。 两个电阻并联, R1电阻为1Ω , R2电阻为10Ω,电源电压12V,根据欧姆定律I=U/R计算出R1回路电流12A,R2回路电流1.2A。 只有在极端情况下,有一
集微网消息,习特会在阿根廷G20峰会举行,会后白宫发表声明指出,中国国家主席习近平表示,对于先前未过关的高通收购恩智浦一案抱持开放态度。此案可以再度递件。 但路透社援引一位高通代表的邮件内容表明,虽然我们很感激中美两国领导人就这宗收购案做出的评论,但(交易)截至日期已过,这意味着交易已经告终。高通方面认为此事已经结束。 那么高通为何回绝呢?香港聚芯资本管理合伙人陈慧明表示,跨国并购比谈恋爱还难,一旦时间过了,主客观条件都变了。 此前,高通曾花了一年半的时间,准备收购恩智浦,美国、欧盟政府都先后
华为昨夜在法国巴黎召开发布会,发布今年首款旗舰机华为 P30 / P30 Pro。两款新机采用水滴屏和屏幕指纹,搭载麒麟 980 处理器,均支持无线反向充电。 拍照依旧是本次华为P30系列的主打卖点,也是华为旗舰机最核心的差异化特质。DxOMark 评分显示,目前华为 P30 Pro 以总分 112 分排名第一。 P30 Pro相关配置在P30的基础上有了一定的升级。 在处理器、前置摄像头、光学防抖(OIS)技术、RYYB传感器设计、取消虚拟键等等都与P30一样的情况下,P30 Pro将屏幕大
做PCB设计过程中,在走线之前,一般我们会对自己要进行设计的项目进行叠层,根据厚度、基材、层数等信息进行计算阻抗,计算完后一般可得到如下图示内容。 图1 叠层信息图示从上图可以看出,设计上面的单端网络一般都是50欧姆来管控,那很多人就会问,为什么要求按照50欧姆来管控而不是25欧姆或者80欧姆?首先,默认选择用50欧姆,而且业内大家都接受这个值,一般来说,肯定是由某个公认的机构制订了某个标准,大家是按标准进行设计的。电子技术有很大一部分是来源于军队,首先技术是使用于军用,慢慢的由军用转为民用。
输入电压经常指定为一个范围,因为通常无法精确调节。但是,为了使电源可靠地工作,输入电压必须始终在开关稳压器允许的范围内。例如,12 V电源电压的典型输入电压范围为8 V至16 V。图1所示为从12 V标称电压产生3.3 V电压的降压型转换器(降压拓扑)。 图1. 与系统直流电压源一起显示的降压型开关稳压器。但是,在设计DC-DC转换器时,仅考虑输入电压最小值和最大值是不够的。图1显示降压转换器在正输入处有一个开关。此开关可打开或关闭。开关速度应尽可能高,这样开关损耗较低。但是,这会导致脉冲电流
格芯今日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。格芯正在接洽多家客户,计划2020年安排多次生产流片。 此次公告是一个重要的行业里程碑,表明eMRAM可在物联网(IoT)、通用微控制器、汽车、终端人工智能和其他低功耗应用中作为先进工艺节点的高性价比选择。 格芯的eMRAM产品旨在替代高容量嵌入式NOR闪存(eFlash),帮助设计人员扩展现有物联网和微控制器单元架构,以实现28nm以下技术节点的功率和密度优势。 格芯表示,该款e