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  • 06
    2024-02

    安森美onsemi推出最新一代1200VEliteSiC碳化

    安森美onsemi推出最新一代1200VEliteSiC碳化

    智能电源和智能感知技术的领导者安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅SiC M3S器件,助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。全新产品系列包括有助于提高开关速度的EliteSiC MOSFET和模块,以适配越来越多的800 V电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和电动汽车直流快充、太阳能方案以及能源储存等能源基础设施应用。 该产品组合还包括采用半桥功率集成模块(PIMs)的新型EliteSiC M3S器件,具有领先业界

  • 05
    2024-02

    安路科技FPGA行业领军,加码高端产品研发布局

    安路科技FPGA行业领军,加码高端产品研发布局

    2023年一季度,公司实现收入 1.9亿元,同比下降 27.4%,归母净利润为-0.5 亿元,同比转负。研发费用大幅上升短暂拖累利润表现2023 年一季度: 1)营收端,公司实现收入 1.9亿元,同比下降 27.4%。 2)利润端,公司实现归母净利润-0.5亿元,同比转负。公司 2023 年一季度毛利率为 37.3%,同比提升 1.3pp;净利率为-27.2%,同比下降 34.1pp。 3)费用端上,公司销售费用率为 3.2%,同比上升1.8PP;管理费用率为 7.3%,同比上升 4.0PP;

  • 05
    2024-02

    德州仪器技术创新和研发能力

    德州仪器技术创新和研发能力

    德州仪器,一家历史悠久的企业,自其创立以来,一直在电子行业占据着重要的地位。而今,它更是以其卓越的技术创新和研发能力,尤其是在新兴技术领域的卓越表现,赢得了全球的广泛赞誉。 新兴技术,如人工智能、物联网、量子计算等领域,正日益改变我们的生活和工作方式。德州仪器在这些领域中的研发实力,无疑是公司整体实力的一部分,更是公司持续发展的关键驱动力。 首先,德州仪器在人工智能领域的研发成果显著。它不仅拥有强大的算法和数据处理能力,还积极探索和应用深度学习、机器学习等先进技术。这些技术的应用,使得德州仪器

  • 05
    2024-02

    ADI亚德诺半导体宣布投资6

    ADI亚德诺半导体宣布投资6

    5月16日消息,ADI亚德诺半导体宣布将在其位于爱尔兰利默里克(Limerick)的欧洲地区总部投资6.3亿欧元,大幅扩大晶圆产能。  该投资用于建设一个新的、最先进的、占地45,000平方英尺的研发和制造设施。新设施将支持ADI开发下一代信号处理创新,旨在加速工业、汽车、医疗保健和其他行业的数字化转型,预计这将使ADI的欧洲晶圆生产能力增加两倍,并符合该公司将内部制造能力提高一倍以增强其全球供应链的弹性并更好地满足客户需求的目标。这项投资预计将使ADI在爱尔兰中西部地区的就业足迹增加600个

  • 04
    2024-02

    德州仪器在半导体行业中的地位和影响力

    德州仪器在半导体行业中的地位和影响力

    在当今全球半导体市场中,德州仪器以其卓越的技术实力和广泛的产品线,占据着举足轻重的地位,并在行业内产生了深远的影响。 首先,德州仪器作为全球领先的半导体制造商,其产品覆盖了从微控制器、模拟IC到数字IC等各个领域,为全球各行各业提供了丰富的解决方案。无论是智能手机、汽车、医疗设备,还是航空航天、能源、工业自动化等领域,都能看到德州仪器产品的身影。这种广泛的产品线使得德州仪器在半导体行业中具有强大的竞争力。 其次,德州仪器在技术研发上的投入也为其赢得了业界的尊重。他们不断追求创新,积极应对市场变

  • 04
    2024-02

    ADI的校准和补偿技术:提高性能的关键

    ADI的校准和补偿技术:提高性能的关键

    在当今的高科技领域,模拟数字转换器(ADI)的应用越来越广泛,从医疗设备到通信系统,再到高端制造,都离不开它的身影。然而,如何确保ADI的性能稳定、准确,却是一项复杂的任务。校准和补偿技术在此中起到了至关重要的作用。 首先,我们需要理解ADI的工作原理。ADI是一种将模拟信号转换为数字信号的电子元件。但在转换过程中,由于各种原因,如制造工艺的偏差、温度变化、老化等,可能会导致输出结果存在误差。这就需要我们进行校准和补偿。 校准技术是提高ADI性能的重要手段之一。它主要针对ADI的各种误差源进行

  • 01
    2024-02

    IGBT模块的工作原理及应用

    IGBT模块的工作原理及应用

    IGBT模块的工作原理及应用 IGBT,全称绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是一种由BJT双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。它结合了二极管与MOS场效应晶体管的优点,在直流电压为600V及以上的变流系统中有着广泛的应用,如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 一、IGBT的结构与工作原理 IGBT芯片是IGBT模块的核心组成部分,它主要由三个区域组成:N型区、P型区和N+